De antireflectielaag van de HJT-cellen integreert geleidend ITO, waardoor zowel het LID- als het LeTID-effect effectief wordt tenietgedaan. Over een periode van 30 jaar vertonen deze cellen minder dan 11,1% degradatie, wat zorgt voor een aanzienlijke en blijvende toename van het vermogensrendement gedurende hun levensduur.

Het oppervlak van HJT-cellen is bedekt met een TCO (Transparant Geleidend Oxide) film zonder een isolatielaag. TCO bezit geleidende eigenschappen, waardoor potentieel-geïnduceerde degradatie (PID) structureel wordt vermeden.

HJT-zonnepanelen maken gebruik van een dubbelglasontwerp, wat zorgt voor uitstekende weerstand tegen weersinvloeden, corrosiebestendigheid en duurzaamheid. Bovendien biedt de in deze zonnepanelen geïntegreerde POE-inkapselingsfilm uitstekende vochtbarrièrecapaciteiten, anti-PID-prestaties en weerstand tegen veroudering. Deze kenmerken dragen gezamenlijk bij aan een garantie van 30 jaar voor product en prestaties van de HJT-zonnepanelen.

De HJT-zonnemodules maken gebruik van een volledige halfcelverwerkingstechniek, waardoor de microscheurtjes die worden veroorzaakt door fysiek snijden van een hele cel in twee helften worden vermeden - een gangbare praktijk in de traditionele halfcelproductie. Deze methode verbetert de betrouwbaarheid van de prestaties van de zonnemodules.

Dunne filmcellen verbeterd met HJT-technologie bieden superieure flexibiliteit en een grotere buigcapaciteit, waardoor de kans op verborgen microscheurtjes tijdens transport- en installatieprocessen wordt geminimaliseerd, met behoud van een grotere integriteit en betrouwbaarheid van het zonnemodule.

HJT-cellen bevatten dunne films van i-a-SiH tussen kristallijn silicium en gedoteerd amorf silicium. Het oppervlak van het kristallijne silicium is vrij van defecten, resulterend in een uniek hoge open-circuit voltage (750 mV) en het mogelijk maken van stroomopwekking in de vroege ochtend onder slechte lichtomstandigheden.